Samsung dévoile le BM1743 SSD avec une capacité de 61,44To

Samsung Présente le BM1743, un SSD de 61,44 To avec la Technologie de NAND V avancée à 176 couches

Samsung a introduit le BM1743, un SSD révolutionnaire offrant une capacité de stockage massive de 61,44 To, conçu avec la technologie NAND V de 7ème génération à 176 couches. Ce SSD définit une nouvelle norme en matière de densité de bits tout en réduisant les coûts. Le BM1743 sera lancé sous forme U.2, ainsi qu'une variante E3.S prenant en charge PCIe Gen5 pour des performances accrues.

Principaux Enseignements

• Samsung lance le SSD BM1743, équipé de la technologie NAND V de 176 couches de dernière génération.
• Le BM1743 offre des vitesses de lecture séquentielles impressionnantes allant jusqu'à 7200 Mo/s et des vitesses d'écriture allant jusqu'à 2000 Mo/s.
• Une variante E3.S sera proposée pour prendre en charge PCIe Gen5 afin d'optimiser les performances.
• Le BM1743 est destiné aux centres de données, dans le but d'améliorer l'efficacité et de réduire les coûts, élevant ainsi les services en cloud et les charges de travail liées à l'IA.
• Des concurrents tels que Western Digital se lancent également sur le marché des SSD de grande capacité avec un SSD de 64 To conçu pour les applications d'IA.

Analyse

L'entrée de Samsung sur le marché des SSD de grande capacité avec le BM1743, exploitant la technologie NAND V de 176 couches de pointe, renforce sa position, offrant une concurrence sérieuse à ses concurrents, en particulier dans les environnements de centres de données. Cette innovation est promise à déclencher une course à la capacité parmi les acteurs de l'industrie, impactant significativement les valeurs boursières et les marchés financiers à court terme. À long terme, ce lancement innovant pourrait standardiser des capacités de stockage plus élevées, façonnant les normes industrielles et les attentes des consommateurs.

Le Saviez-Vous?

• Technologie NAND V de 7ème génération à 176 couches :
  • QLC désigne la mémoire flash NAND à cellules à 4 niveaux, qui permet à chaque cellule de stocker quatre bits de données, augmentant ainsi la capacité de stockage, bien qu'elle puisse potentiellement compromettre la vitesse et la durabilité par rapport au SLC, au MLC ou au TLC.
  • La technologie NAND V de Samsung renvoie à sa méthode révolutionnaire de NAND vertical, qui empile verticalement les cellules mémoire pour accroître la densité et les performances. La 7ème génération indique probablement des améliorations significatives en matière d'efficacité, de vitesse et de coût-efficacité.
• Formats U.2 et E3.S :
  • U.2, auparavant désigné sous le nom de SFF-8639, représente un facteur de forme principalement utilisé dans les serveurs et les stations de travail, prenant en charge des interfaces de stockage haut débit telles que SATA et NVMe.
  • E3.S est un facteur de forme plus récent adapté aux environnements de calcul à haute performance, en particulier pour les SSD PCIe Gen5, offrant une taille plus petite et de meilleures performances thermiques par rapport aux facteurs de forme traditionnels tels que U.2.
• Métrique DWPD (Nombre d'écritures de lecteur par jour) :
  • La métrique DWPD mesure la fréquence à laquelle la capacité totale d'un SSD peut être écrite chaque jour pendant la période de garantie. Un DWPD plus élevé signifie une meilleure endurance et une fiabilité supérieure, essentiel pour les applications de centres de données où les SSD sont largement utilisés.